TN2540N3-G-P002

TN2540N3-G-P002 Microchip Technology


TN2540_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442645.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.72 грн
100+108.03 грн
500+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2540N3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN2540N3-G-P002

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2540N3-G-P002 TN2540N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn254020a062113.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology tn254020a062113.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G-P002 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf TN2540N3-G-P002 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G-P002 TN2540N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.