TN2540N3-G Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 152+ | 96.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
152 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2540N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції TN2540N3-G за ціною від 58.31 грн до 150.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN2540N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 175mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Manufacturer standard package: 1000pcs. |
на замовлення 924 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2540N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2540N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 400V 12Ohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TN2540N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TN2540N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TN2540N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TN2540N3-G |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 98.75 грн |
| 15+ | 66.22 грн |
| 41+ | 62.83 грн |
| TN2540N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.50 грн |
| TN2540N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 400V 12Ohm
MOSFETs 400V 12Ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.99 грн |
| 10+ | 110.75 грн |
| 25+ | 60.34 грн |
| 100+ | 58.38 грн |
| 1000+ | 58.31 грн |
| TN2540N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 143.55 грн |
| 107+ | 138.08 грн |
| TN2540N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 150.32 грн |
| 25+ | 126.27 грн |
| 100+ | 113.99 грн |
| TN2540N3-G |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)