TN2540N3-G Microchip Technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2540N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Інші пропозиції TN2540N3-G за ціною від 62.37 грн до 97.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN2540N3-G | Виробник : MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 400V 12Ohm |
на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TN2540N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Kind of package: bulk Mounting: THT Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Case: TO92 Drain-source voltage: 400V Drain current: 175mA On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
TN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||
,TO-226_straightlead.jpg "TN2540N3-G") |
TN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TN2540N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Kind of package: bulk Mounting: THT Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Case: TO92 Drain-source voltage: 400V Drain current: 175mA On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |