Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN2540N8-G
TN2540N8-G

TN2540N8-G Microchip Technology

TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2540N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TN2540N8-G за ціною від 76.65 грн до 118.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2540N8-G TN2540N8-G Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 9296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.35 грн
25+89.35 грн
100+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540N8-G Microchip Technology TN2540_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005954A.pdf MOSFETs 400V 12Ohm
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.15 грн
25+96.24 грн
100+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540N8-G MICROCHIP TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.15 грн
25+97.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540N8-G MICROCHIP TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 9296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.35 грн
25+89.35 грн
100+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005954A.pdf
TN2540N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 400V 12Ohm
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.15 грн
25+96.24 грн
100+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+118.15 грн
25+97.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N8-G TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.