TN2640K4-G Microchip Technology


TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 34000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2640K4-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN2640 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TN2640K4-G за ціною від 129.40 грн до 773.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2640K4-G TN2640K4-G Microchip Technology TN2640-Data-Sheet-DS20005795.pdf MOSFETs 400V 5 Ohm
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.01 грн
25+165.79 грн
100+130.10 грн
4000+129.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640K4-G TN2640K4-G MICROCHIP MCHP-S-A0011818535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.01 грн
25+167.37 грн
100+151.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640K4-G TN2640K4-G Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
на замовлення 34874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.76 грн
25+546.44 грн
100+460.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640K4-G TN2640-Data-Sheet-DS20005795.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 400V 5 Ohm
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.01 грн
25+165.79 грн
100+130.10 грн
4000+129.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640K4-G MCHP-S-A0011818535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+201.01 грн
25+167.37 грн
100+151.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640K4-G TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
на замовлення 34874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+773.76 грн
25+546.44 грн
100+460.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.