TN2640LG-G

TN2640LG-G Microchip Technology


tn2640-data-sheet-ds20005795.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+159.67 грн
500+157.56 грн
1000+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN2640LG-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN2640LG-G за ціною від 125.80 грн до 587.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN2640LG-G TN2640LG-G Виробник : Microchip Technology TN2640_Data_Sheet_DS20005795-3442113.pdf MOSFETs 400V 5Ohm
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.12 грн
25+159.90 грн
100+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640LG-G Виробник : Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.31 грн
25+420.26 грн
100+357.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G
Код товару: 144489
Додати до обраних Обраний товар

TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640LG-G Виробник : Microchip Technology tn2640-data-sheet-ds20005795.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640LG-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 2A; 1.3W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640LG-G Виробник : Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640LG-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 2A; 1.3W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.