
TN2640LG-G Microchip Technology
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 159.67 грн |
500+ | 157.56 грн |
1000+ | 154.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN2640LG-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN2640LG-G за ціною від 125.80 грн до 587.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TN2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
TN2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
TN2640LG-G Код товару: 144489
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
TN2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TN2640LG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 2A; 1.3W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.26A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TN2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TN2640LG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 2A; 1.3W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.26A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |