Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TN2640LG-G

TN2640LG-G

TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
Код товару: 144489
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TN2640LG-G за ціною від 108.83 грн до 571.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TN2640LG-G TN2640LG-G Microchip Technology TN2640-Data-Sheet-DS20005795.pdf MOSFETs 400V 5Ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.15 грн
25+138.62 грн
100+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640LG-G Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.88 грн
25+409.22 грн
100+347.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640-Data-Sheet-DS20005795.pdf
TN2640LG-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 400V 5Ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+167.15 грн
25+138.62 грн
100+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640LG-G TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
TN2640LG-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+571.88 грн
25+409.22 грн
100+347.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.