Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5325K1-G
TN5325K1-G

TN5325K1-G Microchip Technology

20005709A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.54 грн
25+35.46 грн
100+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5325K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm.

Інші пропозиції TN5325K1-G за ціною від 26.62 грн до 63.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.17 грн
310+45.79 грн
324+43.86 грн
500+39.97 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.38 грн
25+51.90 грн
100+46.07 грн
250+42.22 грн
500+40.12 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.38 грн
274+51.90 грн
297+47.78 грн
300+45.60 грн
500+41.79 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 20005709A.pdf MOSFETs 250V 7Ohm
на замовлення 20396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G MICROCHIP 20005709A.pdf Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G TN5325K1-G MICROCHIP 20005709A.pdf Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G Supertex 20005709A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf
TN5325K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+52.17 грн
310+45.79 грн
324+43.86 грн
500+39.97 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf
TN5325K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf
TN5325K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+63.38 грн
25+51.90 грн
100+46.07 грн
250+42.22 грн
500+40.12 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf
TN5325K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+63.38 грн
274+51.90 грн
297+47.78 грн
300+45.60 грн
500+41.79 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 20005709A.pdf
TN5325K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 250V 7Ohm
на замовлення 20396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 20005709A.pdf
TN5325K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 20005709A.pdf
TN5325K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325K1-G 20005709A.pdf
Виробник: Supertex
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.