TN5325N3-G-P002

TN5325N3-G-P002 Microchip Technology


20005709A-3443272.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.66 грн
25+56.68 грн
100+47.23 грн
250+43.77 грн
4000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5325N3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5325N3-G-P002

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN5325N3-G-P002 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005709A.pdf TN5325N3-G-P002 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G-P002 TN5325N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.