
TN5325N3-G-P002 Microchip Technology
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.66 грн |
25+ | 56.68 грн |
100+ | 47.23 грн |
250+ | 43.77 грн |
4000+ | 43.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN5325N3-G-P002 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN5325N3-G-P002
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
TN5325N3-G-P002 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
TN5325N3-G-P002 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |