TN5325N3-G
Код товару: 183122
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TN5325N3-G за ціною від 31.80 грн до 65.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN5325N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 7Ohm |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92 Power dissipation: 0.74W Kind of package: bulk Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 7Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO92 Polarisation: unipolar |
на замовлення 514 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN5325 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TN5325N3-G | Виробник : Microchip |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Група товару: Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
TN5325N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |