Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5325N8-G
TN5325N8-G

TN5325N8-G Microchip Technology

20005709A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5325N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5325N8-G за ціною від 28.95 грн до 62.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.11 грн
25+ 35.98 грн
100+ 32.95 грн
250+ 30.33 грн
500+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
271+43.19 грн
302+ 38.75 грн
318+ 36.8 грн
320+ 35.28 грн
500+ 32.47 грн
Мінімальне замовлення: 271
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52 грн
25+ 41.09 грн
100+ 37.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology supertex_tn5325-1181187.pdf MOSFET 250V 7Ohm
на замовлення 20783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.47 грн
25+ 45.68 грн
100+ 36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN5325.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 316mA
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN5325N8-G TN5325N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN5325.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 316mA
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній