Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5335K1-G
TN5335K1-G

TN5335K1-G Microchip Technology

tn5335b081213.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5335K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5335K1-G за ціною від 41.83 грн до 81.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.21 грн
25+60.73 грн
100+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : Microchip Technology TN5335B081213-3444066.pdf MOSFETs 350V 15Ohm
на замовлення 39174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.34 грн
25+66.59 грн
100+52.99 грн
9000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf TN5335K1-G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.