Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5335K1-G
TN5335K1-G

TN5335K1-G Microchip Technology

TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5335K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5335K1-G за ціною від 49.01 грн до 67.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TN5335K1-G TN5335K1-G Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.26 грн
25+53.53 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335K1-G TN5335K1-G Microchip Technology TN5335B081213.pdf MOSFETs 350V 15Ohm
на замовлення 27364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335K1-G TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf
TN5335K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.26 грн
25+53.53 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335K1-G TN5335B081213.pdf
TN5335K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 15Ohm
на замовлення 27364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.