Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5335K1-G
TN5335K1-G

TN5335K1-G Microchip Technology

TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5335K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5335K1-G за ціною від 47.2 грн до 72.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.72 грн
25+ 52.77 грн
100+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : Microchip Technology TN5335_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2578781.pdf MOSFET 350V 15Ohm
на замовлення 40021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.44 грн
25+ 59.27 грн
100+ 47.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tn5335.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN5335K1-G TN5335K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tn5335.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній