TN5335N8-G Microchip Technology


TN5335B081213.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 15Ohm
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.93 грн
25+64.86 грн
100+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5335N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5335N8-G за ціною від 60.02 грн до 81.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TN5335N8-G TN5335N8-G Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
25+65.54 грн
100+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5335N8-G TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.55 грн
25+65.54 грн
100+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.