TN5335N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.12 грн |
| 25+ | 66.00 грн |
| 100+ | 60.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN5335N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN5335N8-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TN5335N8-G | Microchip Technology |
MOSFETs 350V 15Ohm |
на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TN5335N8-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 15Ohm
MOSFETs 350V 15Ohm
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)