Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5335N8-G
TN5335N8-G

TN5335N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY

tn5335.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.54 грн
7+ 57.43 грн
17+ 49.13 грн
45+ 46.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN5335N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TN5335N8-G за ціною від 53.21 грн до 85.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN5335N8-G TN5335N8-G Виробник : Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.45 грн
25+ 60.7 грн
100+ 55.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN5335N8-G TN5335N8-G Виробник : Microchip Technology TN5335_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2578781.pdf MOSFET 350V 15Ohm
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.15 грн
25+ 67.53 грн
100+ 53.74 грн
1000+ 53.27 грн
4000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN5335N8-G TN5335N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tn5335.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 897 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.84 грн
5+ 71.57 грн
17+ 58.95 грн
45+ 55.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN5335N8-G TN5335N8-G Виробник : Microchip Technology TN5335-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005955A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
товар відсутній