TN6719A
Виробник:
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN6719A
Description: TRANS NPN 300V 0.2A TO226-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Supplier Device Package: TO-226-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції TN6719A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TN6719A | onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.2A TO226-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: TO-226-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TN6719A | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Dbl-Dif 300V SI Exptl Plnr |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TN6719A |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.2A TO226-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-226-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 300V 0.2A TO226-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-226-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TN6719A |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Dbl-Dif 300V SI Exptl Plnr
Bipolar Transistors - BJT NPN Dbl-Dif 300V SI Exptl Plnr
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.