TP0606N3-G-P002

TP0606N3-G-P002 Microchip Technology


TP0604_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3443956.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.56 грн
25+81.22 грн
100+63.64 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP0606N3-G-P002 Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP0606N3-G-P002

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP0606N3-G-P002 TP0606N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.