TP0606N3-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.14 грн |
| 25+ | 64.74 грн |
| 100+ | 59.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP0606N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TP0606N3-G за ціною від 95.38 грн до 124.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP0606N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP0606N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
TP0606N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. |
| TP0606N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 124.22 грн |
| 250+ | 104.25 грн |
| 500+ | 101.47 грн |
| 1000+ | 95.38 грн |
| TP0606N3-G |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TP0606N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)