TP0610T-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 46.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP0610T-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TP0610T-G за ціною від 41.72 грн до 113.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TP0610T-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 7286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs -60V 100hm |
на замовлення 11856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| TP0610T-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TP0610T-G SMD P channel transistors |
на замовлення 127 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
TP0610T-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |