Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP0610T-G
TP0610T-G

TP0610T-G Microchip Technology

TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP0610T-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TP0610T-G за ціною від 42.97 грн до 77.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP0610T-G TP0610T-G MICROCHIP 2595641.pdf Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.53 грн
3000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 7286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.50 грн
25+50.31 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf MOSFETs -60V 100hm
на замовлення 6276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.90 грн
25+53.54 грн
100+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G MICROCHIP 2595641.pdf Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.79 грн
25+55.87 грн
100+51.53 грн
3000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.47 грн
1000+76.70 грн
3000+76.26 грн
6000+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G 2595641.pdf
TP0610T-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.53 грн
3000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
TP0610T-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 7286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.50 грн
25+50.31 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
TP0610T-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs -60V 100hm
на замовлення 6276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+64.90 грн
25+53.54 грн
100+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G 2595641.pdf
TP0610T-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.79 грн
25+55.87 грн
100+51.53 грн
3000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+77.47 грн
1000+76.70 грн
3000+76.26 грн
6000+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.