TP0620N3-G Microchip Technology
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 98.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP0620N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP0620N3-G за ціною від 89.46 грн до 137.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TP0620N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
TP0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 200V 12Ohm |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
TP0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
TP0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||
TP0620N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||
TP0620N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.75A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.75A Case: TO92 Drain-source voltage: -200V On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||
TP0620N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.75A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.75A Case: TO92 Drain-source voltage: -200V On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |