TP2104K1-G Microchip Technology
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 265+ | 48.98 грн |
| 289+ | 44.84 грн |
| 311+ | 41.65 грн |
| 313+ | 39.92 грн |
| 500+ | 36.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2104K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції TP2104K1-G за ціною від 36.42 грн до 60.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 40V 6Ohm |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |