Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2104K1-G
TP2104K1-G

TP2104K1-G Microchip Technology

TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2104K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

Інші пропозиції TP2104K1-G за ціною від 40.26 грн до 70.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.77 грн
25+46.51 грн
100+43.52 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+48.77 грн
305+46.51 грн
314+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 47145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.30 грн
25+46.06 грн
100+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.38 грн
25+54.20 грн
100+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.38 грн
261+54.20 грн
274+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+66.67 грн
1000+66.00 грн
3000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf MOSFETs 40V 6Ohm
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.77 грн
25+46.51 грн
100+43.52 грн
250+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
291+48.77 грн
305+46.51 грн
314+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 47145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.30 грн
25+46.06 грн
100+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.38 грн
25+54.20 грн
100+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
243+58.38 грн
261+54.20 грн
274+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+66.67 грн
1000+66.00 грн
3000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
201+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
TP2104K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 40V 6Ohm
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G 2337821.pdf
TP2104K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G 2337821.pdf
TP2104K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.