Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2104K1-G
TP2104K1-G

TP2104K1-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+47.42 грн
289+43.42 грн
311+40.32 грн
313+38.65 грн
500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2104K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції TP2104K1-G за ціною від 35.26 грн до 82.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+47.51 грн
266+47.26 грн
290+43.25 грн
500+38.73 грн
1000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.80 грн
25+46.52 грн
100+41.66 грн
250+38.34 грн
500+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.45 грн
6000+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.57 грн
25+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.43 грн
25+51.83 грн
100+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf MOSFETs 40V 6Ohm
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.58 грн
25+53.32 грн
100+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -160mA
Pulsed drain current: -0.8A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.41 грн
8+54.57 грн
25+46.42 грн
100+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW
Case: SOT23-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -160mA
Pulsed drain current: -0.8A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.09 грн
5+68.00 грн
25+55.71 грн
100+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.