Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2104K1-G
TP2104K1-G

TP2104K1-G Microchip Technology

TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2104K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TP2104K1-G за ціною від 33.08 грн до 64.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tp2104.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -160mA
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+52.52 грн
23+ 43.39 грн
25+ 42.89 грн
61+ 41.73 грн
100+ 40.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tp2104.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -160mA
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.95 грн
9+ 42.14 грн
23+ 36.16 грн
25+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.16 грн
25+ 44.31 грн
100+ 39.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.1 грн
25+ 48.53 грн
100+ 41.06 грн
250+ 37.64 грн
500+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.99 грн
25+ 48.61 грн
100+ 42.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+58.28 грн
229+ 51.22 грн
260+ 45.06 грн
272+ 41.53 грн
500+ 36.41 грн
1000+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 201
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf MOSFET 40V 6Ohm
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.65 грн
25+ 49.29 грн
100+ 37.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+60.42 грн
224+ 52.27 грн
256+ 45.85 грн
258+ 43.78 грн
500+ 40.1 грн
Мінімальне замовлення: 194
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TP2104K1-G TP2104K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній