Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2104N3-G-P003
TP2104N3-G-P003

TP2104N3-G-P003 Microchip Technology

TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2104N3-G-P003 Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2104N3-G-P003 за ціною від 44.06 грн до 69.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP2104N3-G-P003 TP2104N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 7005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.91 грн
25+50.14 грн
100+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G-P003 TP2104N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.21 грн
25+55.86 грн
100+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G-P003 TP2104N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology tp210420c081313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.