Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2104N3-G-P003
TP2104N3-G-P003

TP2104N3-G-P003 Microchip Technology

TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 8005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2104N3-G-P003 Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2104N3-G-P003 за ціною від 44.66 грн до 72.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP2104N3-G-P003 TP2104N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
25+50.55 грн
100+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G-P003 TP2104N3-G-P003 Виробник : Microchip Technology TP2104_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442276.pdf MOSFETs P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
25+60.32 грн
100+47.53 грн
1000+44.73 грн
4000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G-P003 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -175mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.