TP2104N3-G Microchip Technology
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 313+ | 45.27 грн |
| 500+ | 42.62 грн |
| 1000+ | 41.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2104N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 740mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.
Інші пропозиції TP2104N3-G за ціною від 32.76 грн до 72.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TP2104N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2104N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 40V 6Ohm |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2104N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 740mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2104N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 51.92 грн |
| 25+ | 41.10 грн |
| 100+ | 37.89 грн |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 40V 6Ohm
MOSFETs 40V 6Ohm
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.92 грн |
| 25+ | 43.57 грн |
| 100+ | 34.92 грн |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 54.97 грн |
| 25+ | 52.40 грн |
| 100+ | 49.74 грн |
| 1000+ | 32.76 грн |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 70.89 грн |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 72.48 грн |
| 25+ | 59.18 грн |
| 100+ | 52.65 грн |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 196+ | 72.48 грн |
| 240+ | 59.18 грн |
| 269+ | 52.65 грн |
| TP2104N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






