
TP2104N3-G Microchip Technology
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
375+ | 32.47 грн |
391+ | 31.16 грн |
500+ | 30.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2104N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TP2104N3-G за ціною від 31.34 грн до 63.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -175mA Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TP2104N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |