на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.77 грн |
| 25+ | 105.14 грн |
| 100+ | 84.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2502N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TP2502N8-G за ціною від 97.61 грн до 139.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET P-CH 20V 630MA TO243AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
TP2502N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |