Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2510N8-G
TP2510N8-G

TP2510N8-G Microchip Technology

l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.92 грн
173+81.98 грн
181+75.47 грн
250+69.58 грн
500+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2510N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції TP2510N8-G за ціною від 61.62 грн до 165.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.21 грн
10+87.92 грн
25+81.98 грн
100+75.47 грн
250+69.58 грн
500+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.81 грн
134+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TP2510%20C081413.pdf Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TP2510%20C081413.pdf Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.21 грн
10+87.92 грн
25+81.98 грн
100+75.47 грн
250+69.58 грн
500+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.81 грн
134+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510%20C081413.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510%20C081413.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Виробник: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.