TP2510N8-G

TP2510N8-G Microchip Technology


l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2510N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TP2510N8-G за ціною від 55.18 грн до 125.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -480mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.70 грн
10+62.84 грн
16+59.77 грн
42+56.71 грн
100+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : MICROCHIP TP2510%20C081413.pdf Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+91.47 грн
10+90.51 грн
25+89.56 грн
100+85.44 грн
250+78.25 грн
500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.79 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+98.50 грн
126+97.47 грн
127+96.44 грн
128+92.01 грн
250+84.27 грн
500+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 9576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
25+86.23 грн
100+77.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+118.43 грн
4000+117.37 грн
8000+116.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : MICROCHIP TP2510%20C081413.pdf Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.84 грн
25+99.03 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology TP2510_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3445595.pdf MOSFETs 100V 3.5Ohm
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.31 грн
25+103.22 грн
100+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G Виробник : Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.