
TP2510N8-G Microchip Technology
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 56.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2510N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TP2510N8-G за ціною від 55.18 грн до 125.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -480mA Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -2.5A |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 9576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TP2510N8-G | Виробник : Microchip |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
TP2510N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |