Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2510N8-G
TP2510N8-G

TP2510N8-G Microchip Technology

l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2510N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2510N8-G за ціною від 53.77 грн до 121.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.4 грн
5+ 78.68 грн
10+ 62.12 грн
15+ 56.6 грн
39+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.05 грн
10+ 74.54 грн
15+ 67.91 грн
39+ 64.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 17213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.78 грн
25+ 81.58 грн
100+ 73.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology TP2510_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-1857826.pdf MOSFET 100V 3.5Ohm
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.54 грн
25+ 90.67 грн
100+ 70.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+121.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G Виробник : Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TP2510N8-G TP2510N8-G Виробник : Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній