TP2520N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.81 грн |
| 25+ | 91.36 грн |
| 100+ | 82.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2520N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP2520N8-G за ціною від 79.71 грн до 122.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2520N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 200V 12Ohm |
на замовлення 5565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP2520N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.75A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Pulsed drain current: -0.75A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TP2520N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TP2520N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.75A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Pulsed drain current: -0.75A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |