TP2520N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 87.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2520N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP2520N8-G за ціною від 68.68 грн до 324.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP2520N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2520N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2520N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2520N8-G | Microchip Technology |
MOSFETs 200V 12Ohm |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2520N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TP2520N8-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.18 грн |
| 25+ | 93.29 грн |
| 100+ | 84.17 грн |
| TP2520N8-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 121.66 грн |
| TP2520N8-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 121.66 грн |
| TP2520N8-G |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 200V 12Ohm
MOSFETs 200V 12Ohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.84 грн |
| 25+ | 103.67 грн |
| 100+ | 81.36 грн |
| 250+ | 72.49 грн |
| 1000+ | 71.83 грн |
| 2000+ | 68.68 грн |
| TP2520N8-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 324.36 грн |
| 500+ | 236.46 грн |
| 1000+ | 185.05 грн |
| 1500+ | 143.26 грн |
| 2000+ | 107.38 грн |