Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2520N8-G
TP2520N8-G

TP2520N8-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005966a.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+92.65 грн
500+90.33 грн
2000+83.55 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2520N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2520N8-G за ціною від 76.46 грн до 125.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TP2520N8-G TP2520N8-G Microchip Technology TP2520-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005966A.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520N8-G Microchip Technology TP2520-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005966A.pdf MOSFETs 200V 12Ohm
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.33 грн
25+97.43 грн
100+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005966a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005966a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520N8-G Microchip Technology TP2520-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005966A.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.54 грн
25+101.72 грн
100+91.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005966A.pdf
TP2520N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005966A.pdf
TP2520N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 200V 12Ohm
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.33 грн
25+97.43 грн
100+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005966a.pdf
TP2520N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005966a.pdf
TP2520N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2520N8-G TP2520-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005966A.pdf
TP2520N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.54 грн
25+101.72 грн
100+91.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.