Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2535N3-G
TP2535N3-G

TP2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -86mA; Idm: -0.6A; 740mW
Case: TO92
Drain-source voltage: -350V
Drain current: -86mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.6A
Mounting: THT
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+37.96 грн
12+32.19 грн
25+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2535N3-G за ціною від 88.82 грн до 152.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP2535N3-G TP2535N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005971a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535N3-G Виробник : Microchip Technology TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.68 грн
25+110.90 грн
100+99.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535N3-G Виробник : Microchip Technology TP2535_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442526.pdf MOSFETs
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.49 грн
25+120.14 грн
100+95.64 грн
500+91.22 грн
1000+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005971a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+152.27 грн
82+150.15 грн
100+148.04 грн
250+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535N3-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005971a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.