TP2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -86mA; Idm: -0.6A; 740mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -350V
Drain current: -86mA
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.74W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 39.19 грн |
| 13+ | 32.67 грн |
| 25+ | 30.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP2535N3-G за ціною від 36.00 грн до 167.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TP2535N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -86mA; Idm: -0.6A; 740mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -350V Drain current: -86mA Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.6A Power dissipation: 0.74W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 25Ohm |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |


