TP2540N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 98.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2540N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm.
Інші пропозиції TP2540N8-G за ціною від 69.89 грн до 139.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2540N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.2A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: -400V Drain current: -125mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2540N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.2A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: -400V Drain current: -125mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2540N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2540N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
на замовлення 47482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP2540N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2540N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 400V 25Ohm |
на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP2540N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |