Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2540N8-G
TP2540N8-G

TP2540N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY

TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W
Case: SOT89-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -125mA
Pulsed drain current: -1.2A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.99 грн
10+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2540N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції TP2540N8-G за ціною від 77.36 грн до 151.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W
Case: SOT89-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -125mA
Pulsed drain current: -1.2A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.93 грн
10+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+101.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+101.49 грн
124+99.84 грн
129+96.54 грн
500+92.30 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+104.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+108.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP 2595642.pdf Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+113.27 грн
111+111.92 грн
112+110.57 грн
114+105.32 грн
250+96.32 грн
500+91.30 грн
1000+90.15 грн
3000+88.99 грн
6000+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+121.36 грн
10+119.91 грн
25+118.47 грн
100+112.84 грн
250+103.19 грн
500+97.82 грн
1000+96.59 грн
3000+95.35 грн
6000+94.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+140.76 грн
1500+139.79 грн
2000+138.82 грн
4000+132.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : MICROCHIP 2595642.pdf Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.27 грн
25+119.40 грн
100+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+142.53 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology TP2540_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20006371A.pdf MOSFETs 400V 25Ohm
на замовлення 3232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.08 грн
25+121.54 грн
100+96.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 28574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.07 грн
25+122.20 грн
100+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N8-G TP2540N8-G Виробник : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.