| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.06 грн |
| 25+ | 121.82 грн |
| 100+ | 96.30 грн |
| 500+ | 86.67 грн |
| 1000+ | 85.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2635N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP2635N3-G за ціною від 108.18 грн до 148.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2635N3-G | Microchip Technology |
 Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TP2635N3-G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.45 грн |
| 25+ | 118.94 грн |
| 100+ | 108.18 грн |