Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP2635N3-G
TP2635N3-G

TP2635N3-G Microchip Technology

TP2635-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005796A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.9 грн
25+ 114.21 грн
100+ 103.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP2635N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP2635N3-G за ціною від 88.51 грн до 143.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP2635N3-G TP2635N3-G Виробник : Microchip Technology TP2635_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-1890325.pdf MOSFET 350V 15Ohm
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.33 грн
25+ 116.98 грн
100+ 92.47 грн
500+ 88.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2635N3-G TP2635N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tp2635.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.7A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -350V
Pulsed drain current: -0.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TP2635N3-G TP2635N3-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tp2635.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.7A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -350V
Pulsed drain current: -0.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній