на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.12 грн |
| 25+ | 123.85 грн |
| 100+ | 97.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2635N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP2635N3-G за ціною від 112.79 грн до 154.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2635N3-G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP2635N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.18A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
TP2635N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.18A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |