TP2640LG-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3300+ | 144.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2640LG-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP2640LG-G за ціною від 124.72 грн до 191.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 400V 15Ohm |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.21A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
TP2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.21A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
TP2640LG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.21A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
TP2640LG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -86mA; Idm: -0.6A; 740mW; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -86mA Pulsed drain current: -0.6A Power dissipation: 0.74W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |