
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.87 грн |
25+ | 134.51 грн |
100+ | 105.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2640N3-G Microchip Technology
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -180mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92, Case: TO92, Drain-source voltage: -400V, Drain current: -0.18A, On-state resistance: 15Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -0.8A, Mounting: THT.
Інші пропозиції TP2640N3-G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TP2640N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TP2640N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
TP2640N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -180mA; Idm: -0.8A; 1W; TO92 Case: TO92 Drain-source voltage: -400V Drain current: -0.18A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.8A Mounting: THT |
товару немає в наявності |