TP44100SG

TP44100SG Tagore Technology


TP44100SG-Rev1.2.pdf Виробник: Tagore Technology
Description: GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: P-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: 22-QFN (5x7)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 650 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 6V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
на замовлення 2979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.70 грн
10+331.98 грн
100+288.55 грн
500+216.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP44100SG Tagore Technology

Description: GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: P-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Supplier Device Package: 22-QFN (5x7), Part Status: Active, Voltage - Rated: 650 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 500mA, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 6V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP44100SG за ціною від 528.71 грн до 528.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP44100SG Виробник : Tagore Technology TP44100SG-Rev1.2.pdf TP44100SG
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+528.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TP44100SG TP44100SG Виробник : Tagore Technology TP44100SG-Rev1.2.pdf Description: GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: P-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: 22-QFN (5x7)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 650 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 6V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.