TP5322K1-G

TP5322K1-G Microchip Technology


-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP5322K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP5322K1-G за ціною від 25.16 грн до 58.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
323+37.90 грн
345+35.47 грн
360+33.98 грн
363+32.57 грн
500+29.24 грн
1000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+40.60 грн
25+38.00 грн
100+35.11 грн
250+32.32 грн
500+30.07 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology TP5322-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005973A.pdf Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.36 грн
250+53.63 грн
500+52.01 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology TP5322_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442618.pdf MOSFETs 220V 12 Ohm 0.7A
на замовлення 66999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.78 грн
25+45.56 грн
100+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology TP5322-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005973A.pdf Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.77 грн
25+46.00 грн
100+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology tp532220c081613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP5322K1-G TP5322K1-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.