TP5322K1-G Microchip Technology
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP5322K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP5322K1-G за ціною від 25.46 грн до 64.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 220V 12 Ohm 0.7A |
на замовлення 64764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 4654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| TP5322K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TP5322K1-G SMD P channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
TP5322K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |



