TP5335K1-G Microchip Technology


TP5335-Data-Sheet-20005704D.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP5335K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TP5335K1-G за ціною від 30.72 грн до 47.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TP5335K1-G TP5335K1-G Microchip Technology TP5335-Data-Sheet-20005704D.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
25+34.77 грн
100+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5335K1-G TP5335K1-G Microchip Technology TP5335_Data_Sheet_20005704D-2935446.pdf MOSFET 350V 25Ohm
на замовлення 20695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.09 грн
25+39.05 грн
100+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5335K1-G TP5335-Data-Sheet-20005704D.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.62 грн
25+34.77 грн
100+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP5335K1-G TP5335_Data_Sheet_20005704D-2935446.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 350V 25Ohm
на замовлення 20695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.09 грн
25+39.05 грн
100+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.