TP5335K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 32.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP5335K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP5335K1-G за ціною від 29.78 грн до 57.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 29004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 350V 25Ohm |
на замовлення 20695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.4A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -350V Pulsed drain current: -400mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TP5335K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -0.4A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -350V Pulsed drain current: -400mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |