TP5335K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP5335K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP5335K1-G за ціною від 31.27 грн до 61.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP5335K1-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 11361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP5335K1-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP5335K1-G | Microchip Technology |
MOSFETs 350V 25Ohm |
на замовлення 39550 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TP5335K1-G | Microchip Technology |
TP5335K1-G |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TP5335K1-G | Microchip Technology |
TP5335K1-G |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TP5335K1-G | Microchip Technology |
TP5335K1-G |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TP5335K1-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 11361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.92 грн |
| 25+ | 35.78 грн |
| 100+ | 35.12 грн |
| TP5335K1-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.05 грн |
| TP5335K1-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 25Ohm
MOSFETs 350V 25Ohm
на замовлення 39550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.88 грн |
| 25+ | 39.71 грн |
| 3000+ | 31.27 грн |
| TP5335K1-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
TP5335K1-G
TP5335K1-G
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 53.86 грн |
| 1000+ | 53.13 грн |
| TP5335K1-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
TP5335K1-G
TP5335K1-G
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.11 грн |
| 25+ | 59.88 грн |
| 100+ | 56.56 грн |
| 250+ | 51.28 грн |
| 500+ | 48.18 грн |
| 1000+ | 47.12 грн |
| TP5335K1-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
TP5335K1-G
TP5335K1-G
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 61.11 грн |
| 247+ | 59.88 грн |
| 252+ | 58.65 грн |
| 257+ | 55.38 грн |
| 500+ | 50.18 грн |
| 1000+ | 47.12 грн |



