Продукція > RENESAS > TP65H015G5WS
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS RENESAS

4156603.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H015G5WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 95 A, 0.018 ohm, 74 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 74nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1533.28 грн
5+1513.19 грн
10+1492.30 грн
50+1366.31 грн
100+1242.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H015G5WS RENESAS

Description: 650 V 95 A GAN FET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 266W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H015G5WS за ціною від 857.49 грн до 1993.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Renesas Electronics Corporation TP65H015G5WS_1v0-1.pdf Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1604.06 грн
30+980.69 грн
120+857.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Renesas Electronics REN_TP65H015G5WS_DST_20230317.pdf GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS Renesas rentp65h035g4ysdst20240513.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 46.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1993.28 грн
10+1316.77 грн
25+1303.55 грн
100+1148.55 грн
500+1042.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS Renesas rentp65h035g4ysdst20240513.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 46.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1993.28 грн
11+1316.77 грн
25+1303.55 грн
100+1148.55 грн
500+1042.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS TP65H015G5WS_1v0-1.pdf
TP65H015G5WS
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1604.06 грн
30+980.69 грн
120+857.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS REN_TP65H015G5WS_DST_20230317.pdf
TP65H015G5WS
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS rentp65h035g4ysdst20240513.pdf
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 46.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1993.28 грн
10+1316.77 грн
25+1303.55 грн
100+1148.55 грн
500+1042.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS rentp65h035g4ysdst20240513.pdf
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 46.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1993.28 грн
11+1316.77 грн
25+1303.55 грн
100+1148.55 грн
500+1042.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.