TP65H015G5WS Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1573.12 грн |
| 30+ | 960.26 грн |
| 120+ | 838.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H015G5WS Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 95 A GAN FET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 266W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H015G5WS за ціною від 1288.94 грн до 2487.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H015G5WS | Виробник : Renesas Electronics |
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TP65H015G5WS | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|