Продукція > TRANSPHORM > TP65H015G5WS
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS Transphorm

TP65H015G5WS_1v0-1.pdf Виробник: Transphorm
Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2428.43 грн
30+1854.02 грн
120+1750.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H015G5WS Transphorm

Description: 650 V 95 A GAN FET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 266W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H015G5WS за ціною від 1509.96 грн до 2697.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Виробник : RENESAS 4156603.pdf Description: RENESAS - TP65H015G5WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 95 A, 0.018 ohm, 74 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 74nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2606.41 грн
5+2461.66 грн
10+2316.06 грн
50+2107.39 грн
100+1906.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Виробник : Transphorm 027_TP65H015G5WS_2v0-2448878.pdf GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2693.94 грн
30+1740.80 грн
120+1509.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Виробник : Renesas Electronics TP65H015G5WS_1v0-1.pdf GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2697.46 грн
10+2494.91 грн
30+1743.89 грн
120+1665.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.