Продукція > RENESAS > TP65H030G4PQS-TR
TP65H030G4PQS-TR

TP65H030G4PQS-TR RENESAS

4643834.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+684.42 грн
50+631.00 грн
100+578.28 грн
250+574.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H030G4PQS-TR RENESAS

Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H030G4PQS-TR за ціною від 282.87 грн до 705.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Виробник : Renesas Electronics REN_TP65H030G4PQS_DST_20251125.pdf GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.11 грн
10+469.52 грн
100+282.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation tp65h030g4pqs-datasheet?srsltid=AfmBOoqt2UtcZfWqDAEpMINiA5V6f6FQWB-DJWUZ91SsOW9soGr4lVQv Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.43 грн
10+467.14 грн
100+356.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation tp65h030g4pqs-datasheet?srsltid=AfmBOoqt2UtcZfWqDAEpMINiA5V6f6FQWB-DJWUZ91SsOW9soGr4lVQv Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.