Продукція > RENESAS > TP65H030G4PQS-TR
TP65H030G4PQS-TR

TP65H030G4PQS-TR RENESAS

Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+763.00 грн
50+689.63 грн
100+619.89 грн
250+603.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H030G4PQS-TR RENESAS

Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 24.5nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TP65H030G4PQS-TR за ціною від 323.10 грн до 801.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Виробник : Renesas Electronics REN_TP65H030G4PQS_DST_20250516-3676147.pdf GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.07 грн
10+584.25 грн
100+424.25 грн
500+379.71 грн
2000+323.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Виробник : RENESAS Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+801.96 грн
5+782.48 грн
10+763.00 грн
50+689.63 грн
100+619.89 грн
250+603.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.