TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 710.68 грн |
| 10+ | 530.92 грн |
| 100+ | 385.53 грн |
| 500+ | 345.05 грн |
| 2000+ | 293.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics
Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 24.5nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TP65H030G4PQS-TR за ціною від 570.06 грн до 757.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H030G4PQS-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 24.5nC Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H030G4PQS-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 24.5nC Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|