TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 697.89 грн |
| 10+ | 474.15 грн |
| 100+ | 336.83 грн |
| 1300+ | 286.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TOLT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H030G4PRS-TR за ціною від 360.31 грн до 711.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TP65H030G4PRS-TR | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
TP65H030G4PRS-TR | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |

