Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > TP65H030G4PRS-TR
TP65H030G4PRS-TR

TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics Corporation

tp65h030g4prs-datasheet?r=25573801
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1300+303.72 грн
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics Corporation

Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TOLT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H030G4PRS-TR за ціною від 326.49 грн до 706.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR RENESAS 4557933.pdf Description: RENESAS - TP65H030G4PRS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+476.54 грн
50+402.21 грн
100+333.38 грн
250+326.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR RENESAS 4557933.pdf Description: RENESAS - TP65H030G4PRS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.10 грн
5+584.22 грн
10+476.54 грн
50+402.21 грн
100+333.38 грн
250+326.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics Corporation tp65h030g4prs-datasheet?r=25573801 Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.72 грн
10+468.62 грн
100+357.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics REN_TP65H030G4PRS_DST_20251202.pdf GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR 4557933.pdf
TP65H030G4PRS-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H030G4PRS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+476.54 грн
50+402.21 грн
100+333.38 грн
250+326.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR 4557933.pdf
TP65H030G4PRS-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H030G4PRS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+691.10 грн
5+584.22 грн
10+476.54 грн
50+402.21 грн
100+333.38 грн
250+326.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR tp65h030g4prs-datasheet?r=25573801
TP65H030G4PRS-TR
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+706.72 грн
10+468.62 грн
100+357.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR REN_TP65H030G4PRS_DST_20251202.pdf
TP65H030G4PRS-TR
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.