TP65H030G4PRS-TR

TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics


REN_TP65H030G4PRS_DST_20250710.pdf Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
на замовлення 1306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.89 грн
10+474.15 грн
100+336.83 грн
1300+286.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics

Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TOLT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H030G4PRS-TR за ціною від 360.31 грн до 711.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation tp65h030g4prs-datasheet?r=25573801 Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.49 грн
10+471.65 грн
100+360.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H030G4PRS-TR TP65H030G4PRS-TR Виробник : Renesas Electronics Corporation tp65h030g4prs-datasheet?r=25573801 Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.