TP65H030G4PWS Renesas Electronics
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 786.01 грн |
| 10+ | 606.95 грн |
| 100+ | 439.32 грн |
| 480+ | 391.68 грн |
| 1200+ | 348.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H030G4PWS Renesas Electronics
Description: RENESAS - TP65H030G4PWS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 24.5nC, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TP65H030G4PWS за ціною від 652.17 грн до 1411.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H030G4PWS | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - TP65H030G4PWS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 24.5nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|