TP65H030G4PWS RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H030G4PWS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 688.69 грн |
| 5+ | 675.83 грн |
| 10+ | 662.98 грн |
| 50+ | 604.43 грн |
| 100+ | 546.91 грн |
| 250+ | 535.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H030G4PWS RENESAS
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H030G4PWS за ціною від 297.13 грн до 888.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H030G4PWS | Renesas Electronics Corporation |
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TP65H030G4PWS | Renesas Electronics |
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H030G4PWS | Renesas |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 55.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TP65H030G4PWS | Renesas |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 55.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TP65H030G4PWS |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 751.66 грн |
| 30+ | 430.06 грн |
| 120+ | 365.68 грн |
| 510+ | 298.94 грн |
| 1020+ | 297.13 грн |
| TP65H030G4PWS |
|
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H030G4PWS |
|
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 55.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 55.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 888.62 грн |
| 10+ | 560.97 грн |
| 25+ | 555.37 грн |
| 100+ | 445.78 грн |
| TP65H030G4PWS |
|
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 55.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 55.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 888.62 грн |
| 26+ | 555.37 грн |
| 100+ | 445.78 грн |