TP65H035G4QS-TR RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 922.31 грн |
| 50+ | 777.06 грн |
| 100+ | 670.54 грн |
| 250+ | 657.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H035G4QS-TR RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 22nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TP65H035G4QS-TR за ціною від 657.28 грн до 1322.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP65H035G4QS-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 22nC Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H035G4QS-TR | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
товару немає в наявності |