Продукція > RENESAS > TP65H035G4QS-TR
TP65H035G4QS-TR

TP65H035G4QS-TR RENESAS

4156844.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+699.14 грн
50+573.83 грн
100+499.38 грн
250+468.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H035G4QS-TR RENESAS

Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 22nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції TP65H035G4QS-TR за ціною від 468.39 грн до 931.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H035G4QS-TR TP65H035G4QS-TR RENESAS 4156844.pdf Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.38 грн
5+816.47 грн
10+699.14 грн
50+573.83 грн
100+499.38 грн
250+468.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H035G4QS-TR 4156844.pdf
TP65H035G4QS-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+931.38 грн
5+816.47 грн
10+699.14 грн
50+573.83 грн
100+499.38 грн
250+468.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.