TP65H035G4QS-TR RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4QS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 22 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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Технічний опис TP65H035G4QS-TR RENESAS
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Інші пропозиції TP65H035G4QS-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TP65H035G4QS-TR | RENESAS |
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на замовлення 1687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| TP65H035G4QS-TR |
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Виробник: RENESAS
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Produktpalette: SuperGaN Series
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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Produktpalette: SuperGaN Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)