TP65H035G4WSQA RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - TP65H035G4WSQA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1402.16 грн |
| 5+ | 1327.06 грн |
| 10+ | 1251.13 грн |
| 50+ | 1092.03 грн |
| 100+ | 942.95 грн |
| 250+ | 878.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H035G4WSQA RENESAS
Description: 650 V 46.5 GAN FET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції TP65H035G4WSQA за ціною від 804.95 грн до 1477.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H035G4WSQA | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247 |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TP65H035G4WSQA | Виробник : Transphorm |
Description: 650 V 46.5 GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|