Продукція > RENESAS > TP65H035G4YS
TP65H035G4YS

TP65H035G4YS RENESAS

tp65h035g4ys-datasheet?srsltid=AfmBOoqOpkxL-GyWxZOV4ToLVNtUY96P1JjNKjn1-noIV0d_shzX2R6U Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 42.7nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1855.21 грн
5+1592.27 грн
10+1326.89 грн
50+1088.49 грн
100+872.19 грн
250+854.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H035G4YS RENESAS

Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 42.7nC, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).