TP65H035G4YS RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 42.7nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1929.95 грн |
| 5+ | 1656.42 грн |
| 10+ | 1380.35 грн |
| 50+ | 1132.34 грн |
| 100+ | 907.33 грн |
| 250+ | 889.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H035G4YS RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 42.7nC, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TP65H035G4YS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H035G4YS | Виробник : Renesas Electronics |
GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L |
товару немає в наявності |