Продукція > RENESAS > TP65H035G4YS
TP65H035G4YS

TP65H035G4YS RENESAS

tp65h035g4ys-datasheet?srsltid=AfmBOoqOpkxL-GyWxZOV4ToLVNtUY96P1JjNKjn1-noIV0d_shzX2R6U
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 42.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1460.16 грн
5+1218.27 грн
10+1022.19 грн
50+897.69 грн
100+804.53 грн
250+796.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H035G4YS RENESAS

Description: RENESAS - TP65H035G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 42.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції TP65H035G4YS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H035G4YS Renesas Electronics Corporation REN_TP65H035G4YS_DST_20240513.pdf Description: 650V, 35MOHM GAN FET IN TO247-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H035G4YS TP65H035G4YS Renesas Electronics REN_TP65H035G4YS_DST_20240513.pdf GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H035G4YS REN_TP65H035G4YS_DST_20240513.pdf
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 650V, 35MOHM GAN FET IN TO247-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H035G4YS REN_TP65H035G4YS_DST_20240513.pdf
TP65H035G4YS
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.