Продукція > TRANSPHORM > TP65H035WS
TP65H035WS

TP65H035WS Transphorm

datasheet-tp65h035ws-650v-gan-fet Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1215.20 грн
30+990.67 грн
120+936.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H035WS Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H035WS за ціною від 925.49 грн до 1604.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H035WS TP65H035WS Виробник : Transphorm TP65H035WS_v4-1842514.pdf MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1604.15 грн
10+1458.56 грн
120+1082.92 грн
510+983.61 грн
1020+925.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.