TP65H050G4YS Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 709.82 грн |
| 30+ | 403.67 грн |
| 120+ | 342.22 грн |
| 510+ | 278.92 грн |
| 1020+ | 273.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H050G4YS Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H050G4YS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H050G4YS | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 16nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TP65H050G4YS | Renesas Electronics |
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TP65H050G4YS |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 16nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: RENESAS - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 16nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TP65H050G4YS |
|
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)