Продукція > TRANSPHORM > TP65H050WS
TP65H050WS

TP65H050WS Transphorm

datasheet-tp65h050ws-650v-gan-fet Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1138.80 грн
30+760.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H050WS Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H050WS за ціною від 780.56 грн до 1418.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H050WS TP65H050WS Виробник : Transphorm tp65h050ws_v2-1539038.pdf MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1418.76 грн
10+1285.13 грн
120+963.74 грн
510+839.41 грн
1020+800.42 грн
2520+780.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.