Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > TP65H070G4LSG-TR
TP65H070G4LSG-TR

TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation

datasheet-tp65h070g4lsg
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+576.18 грн
10+377.10 грн
50+300.99 грн
100+259.52 грн
500+254.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 8.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції TP65H070G4LSG-TR за ціною від 222.32 грн до 624.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics REN_TP65H070G4LSG_DST_20230824.pdf GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+624.55 грн
10+333.89 грн
100+267.67 грн
500+262.55 грн
1000+240.61 грн
3000+222.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR RENESAS 4156851.pdf Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR RENESAS 4156851.pdf Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR REN_TP65H070G4LSG_DST_20230824.pdf
TP65H070G4LSG-TR
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.55 грн
10+333.89 грн
100+267.67 грн
500+262.55 грн
1000+240.61 грн
3000+222.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR 4156851.pdf
TP65H070G4LSG-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR 4156851.pdf
TP65H070G4LSG-TR
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.