TP65H070G4LSGB-TR RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 555.99 грн |
| 50+ | 457.32 грн |
| 100+ | 367.72 грн |
| 250+ | 360.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070G4LSGB-TR RENESAS
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070G4LSGB-TR за ціною від 360.04 грн до 871.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP65H070G4LSGB-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8.4nC Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H070G4LSGB-TR | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H070G4LSGB-TR | Виробник : Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H070G4LSGB-TR | Виробник : Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |