TP65H070G4LSGBEA-TR RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11.9nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 207.28 грн |
| 500+ | 181.15 грн |
| 1000+ | 163.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070G4LSGBEA-TR RENESAS
Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 12V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070G4LSGBEA-TR за ціною від 163.03 грн до 297.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP65H070G4LSGBEA-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGBEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11.9nC Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|