TP65H070G4PS Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 534.56 грн |
| 50+ | 277.96 грн |
| 100+ | 255.08 грн |
| 500+ | 201.82 грн |
| 1000+ | 189.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070G4PS Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070G4PS за ціною від 303.77 грн до 642.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H070G4PS | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220 |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|