на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 677.28 грн |
| 50+ | 392.46 грн |
| 100+ | 319.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070G4PS Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070G4PS за ціною від 309.74 грн до 748.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H070G4PS | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - TP65H070G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 9nC Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP65H070G4PS | Виробник : Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|