TP65H070G4PS Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 536.17 грн |
| 50+ | 278.79 грн |
| 100+ | 255.85 грн |
| 500+ | 202.43 грн |
| 1000+ | 190.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070G4PS Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070G4PS за ціною від 304.69 грн до 708.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H070G4PS | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220 |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TP65H070G4PS | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 9nC Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|