TP65H070G4RS-TR RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9nC
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 487.74 грн |
| 50+ | 400.03 грн |
| 100+ | 320.45 грн |
| 250+ | 314.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070G4RS-TR RENESAS
Description: 650 V 29 A GAN FET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA, Supplier Device Package: TOLT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070G4RS-TR за ціною від 314.08 грн до 758.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TP65H070G4RS-TR | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 9nC Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H070G4RS-TR | Виробник : Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H070G4RS-TR | Виробник : Transphorm |
Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H070G4RS-TR | Виробник : Transphorm |
Description: 650 V 29 A GAN FET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |