TP65H070LSG-TR Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1025.98 грн |
| 10+ | 694.57 грн |
| 100+ | 581.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H070LSG-TR Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H070LSG-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H070LSG-TR | Renesas Electronics |
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88 |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TP65H070LSG-TR |
|
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)