Продукція > RENESAS > TP65H100G4LSGB-TR
TP65H100G4LSGB-TR

TP65H100G4LSGB-TR RENESAS

tp65h100g4lsgb-datasheet?srsltid=AfmBOooiuSbw6Ef_H0LRNbwsSx5jWpaZj2yB0A-41yRlERhddS8N6UZI Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+277.66 грн
500+227.95 грн
1000+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H100G4LSGB-TR RENESAS

Description: Hi Volt FETs, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H100G4LSGB-TR за ціною від 182.85 грн до 544.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Виробник : RENESAS tp65h100g4lsgb-datasheet?srsltid=AfmBOooiuSbw6Ef_H0LRNbwsSx5jWpaZj2yB0A-41yRlERhddS8N6UZI Description: RENESAS - TP65H100G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+388.55 грн
10+333.53 грн
100+277.66 грн
500+227.95 грн
1000+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Виробник : Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.46 грн
10+354.11 грн
100+257.63 грн
500+203.21 грн
1000+201.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Виробник : Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.