TP65H100G4PS Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.29 грн |
| 50+ | 225.09 грн |
| 100+ | 205.81 грн |
| 500+ | 161.45 грн |
| 1000+ | 151.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H100G4PS Renesas Electronics Corporation
Description: Hi Volt FETs, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H100G4PS за ціною від 188.12 грн до 464.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H100G4PS | Виробник : Renesas Electronics |
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|