TP65H100G4PS Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 449.45 грн |
| 50+ | 229.50 грн |
| 100+ | 209.85 грн |
| 500+ | 164.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H100G4PS Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 14.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Інші пропозиції TP65H100G4PS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H100G4PS | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 14.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TP65H100G4PS | Renesas Electronics |
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TP65H100G4PS |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 14.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 14.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TP65H100G4PS |
|
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)