TP65H100G4PS Renesas Electronics
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 503.57 грн |
| 10+ | 380.09 грн |
| 100+ | 267.88 грн |
| 500+ | 237.70 грн |
| 1000+ | 203.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H100G4PS Renesas Electronics
Description: Hi Volt FETs, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H100G4PS за ціною від 254.68 грн до 611.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H100G4PS | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - TP65H100G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 14.4nC Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP65H100G4PS | Виробник : Transphorm |
Description: Hi Volt FETs Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|