Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG

TP65H150G4LSG Renesas Electronics Corporation

datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.72 грн
10+313.47 грн
100+256.85 грн
500+205.19 грн
1000+173.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H150G4LSG Renesas Electronics Corporation

Description: GAN FET N-CH 650V PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H150G4LSG за ціною від 184.15 грн до 410.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Виробник : Transphorm 010_TP65H150G4LSG_3v5-2900669.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.00 грн
10+350.31 грн
25+295.41 грн
100+248.61 грн
250+240.93 грн
500+216.38 грн
1000+184.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Виробник : Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.