TP65H150G4LSG Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.54 грн |
| 10+ | 290.27 грн |
| 100+ | 237.85 грн |
| 500+ | 190.02 грн |
| 1000+ | 160.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H150G4LSG Renesas Electronics Corporation
Description: GAN FET N-CH 650V PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H150G4LSG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H150G4LSG | Renesas Electronics |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
TP65H150G4LSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TP65H150G4LSG |
|
Виробник: Renesas Electronics
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H150G4LSG |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)