Продукція > RENESAS > TP65H150G4PS
TP65H150G4PS

TP65H150G4PS RENESAS

4156857.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+339.12 грн
10+306.17 грн
100+273.23 грн
500+222.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H150G4PS RENESAS

Description: GAN FET N-CH 650V TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H150G4PS за ціною від 124.10 грн до 418.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.73 грн
50+187.21 грн
100+170.61 грн
500+132.85 грн
1000+124.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS Renesas rentp65h150g4psdst20251125.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.60 грн
10+234.09 грн
25+233.51 грн
100+200.89 грн
500+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS Renesas rentp65h150g4psdst20251125.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.60 грн
61+233.51 грн
100+200.89 грн
500+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet
TP65H150G4PS
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.73 грн
50+187.21 грн
100+170.61 грн
500+132.85 грн
1000+124.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf
TP65H150G4PS
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS rentp65h150g4psdst20251125.pdf
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+418.60 грн
10+234.09 грн
25+233.51 грн
100+200.89 грн
500+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS rentp65h150g4psdst20251125.pdf
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+418.60 грн
61+233.51 грн
100+200.89 грн
500+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.